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以纳米尺度测量硅电子器件内应力的方法

2008-7-1 09:38:33
来源:科学时报/田天编译自《自然》杂志




将硅置于应力下,可增强电荷载体在半导体中的运动,所以现在将应力预置进最新高性能硅器件中的做法就不足为怪了。然而,我们缺少的是一种多功能的工具,用来测量(甚至了解)这类器件中所产生的复杂应力分布。来自图卢兹材料增强与结构研究中心的一个小组研究出一种新方法,该方法将两种众所周知的方法——云纹干涉法和电子全息法结合在一起,来以纳米尺度测量应力。